Публикации сотрудников лаборатор

Публикации сотрудников лаборатории:

2018

Статьи в журналах

1. Fabrication of optically smooth surface on the cleavage of porous silicon by gas cluster ion irradiation. Ieshkin A.E., Svyakhovskiy S.E., Chernysh V.S. // Vacuum, изд-во Pergamon Press Ltd. (United Kingdom), том 148,

с. 272-277.

2. A CVD Process for Producing Atomic Current Sources Based on 63Ni. Kharitonov I.D., Mazgunova V.A., Babain V.A., Kostylev A.I., Merkushkin A.O., Shemukhin A.A., Balakshin Yu V., Kozhemyako A.V., Kalmykov S.N., Magomedbekov E.P. // Radiochemistry, изд-во Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 60, № 2, с. 158-163.

3. CNT-based filters efficiency by ion beam irradiation. Elsehly Emad M., Chechenin NG, Makunin AV, Shemukhin AA, Motaweh HA // Radiation Physics and Chemistry, изд-во Pergamon Press Ltd. (United Kingdom), том 146, с. 19-25.

4. CVD-технология производства атомных источников тока на основе 63Ni. Харитонов И.Д., Мазгунова В.А., Бабаин В.А., Костылев А.И., Меркушкин А.О., Шемухин А.А., Балакшин Ю.В., Кожемяко А.В., Калмыков С.Н., Магомедбеков Э.П. // Радиохимия, издательство Наука (СПб.), том 60, № 2, с. 143-147.

2017

Статьи в журналах

1. Polishing Superhard-Material Surfaces with Gas-Cluster Ion Beams. Ieshkin A.E., Kushkina K.D., Kireev D.S., Ermakov Yu A., Chernysh V.S. // Technical Physics Letters, изд-во Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 43, № 1, с. 50-52.

2. Полировка поверхности сверхтвердых материалов пучками газовых кластерных ионов. Иешкин А.Е., Кушкина К.Д., Киреев Д.С., Ермаков Ю.А., Черныш В.С. // Письма в "Журнал технической физики", изд-во Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 43, № 2, с. 18-23.

3. Approach to form planar structures based on epitaxial Fe(1−x)Six films grown on Si(111). Tarasov A.S., Lukyanenko A.V., Tarasov I.A., Bondarev I.A., Smolyarova T.E., Kosyrev N.N., Komarov V.A., Yakovlev I.A., Volochaev M.N., Solovyov L.A., Shemukhin A.A. // Thin Solid Films, изд-во Elsevier Sequoia (Switzerland), том 642, с. 20-24.

4. Complementary study of the internal porous silicon layers formed under high-dose implantation of helium ions. Lomov A.A., Myakon’kikh A.V., Chesnokov Y.M., Shemukhin A.A., Oreshko A.P. // Crystallography Reports, изд-во Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 62, № 2 с. 189-194.

5. Features of the Formation of Nanoporous Membranes Based on Alumina from Foil and New Fields of Applications Glass. Muratova E.N., Luchinin V.V., Moshnikov V.A., Lifshits V.A., Matyushkin L.B., Panov M.F., Potrakhov N.N., Galunin S.A., Ishin V.V., Shemukhin A.A. // Glass Physics and Chemistry, изд-во Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 43, № 2, с. 163-169.

6. He ion irradiation effects on multiwalled carbon nanotubes structure. Elsehly Emad M., Chechenin Nikolay G., Makunin Alexey V., Shemukhin Andrey A., Motaweh Hussien A. // European Physical Journal D, издательство Springer Verlag (Germany), том 71, № 4, с. 71-79.

7. Iron ions distribution profile obtained by irradiating the silicon single crystal. Shemukhin A.A., Kozhemiako A.V., Balakshin Yu V., Chernysh V.S. // Journal of Physics: Conference Series, изд-во Institute of Physics (United Kingdom), том 917, с. 1-5.

8. Nanoscale matrices to transport high-energy beams. Muratova E.N., Shemukhin A.A. // Journal of Physics: Conference Series, изд-во Institute of Physics (United Kingdom), том 917.

9. Study of the distribution profile of iron ions Implanted into silicon. Kozhemyako A.V., Balakshin Yu V., Shemukhin A.A., Chernysh V.S. // Semiconductors, изд-во Izdatel'stva Nauka (Russian Federation), том 51, № 6, с. 778-782.

10. The Parameter influence of ion irradiation on the distribution profile of the defect in silicon film. Shemukhin A.A., Balakshin Yu V., Evseev A.P., Chernysh V.S. // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, изд-во Elsevier BV (Netherlands), том 406, № Part B, с. 507-510.

11. The conductivity of high-fluence noble gas ion irradiated CVD polycrystalline diamond. Borisov A.M., Kazakov V.A., Mashkova E.S., Ovchinnikov M.A., Shemukhin A.A., Sigalaev S.K. // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, изд-во Elsevier BV (Netherlands), том 406, с. 676-679.

12. The influence of ion irradiation on the conductivity of silicon films. Kushkina K.D., Nazarov A.V., Shemukhin A.A., Evseev A.P. // Applied Physics, № 2, с. 54-57.

13. Влияние ионного облучения на проводимость пленок кремния. Кушкина К.Д., Назаров А.В., Шемухин А.А., Евсеев А.П. // Прикладная физика, изд-во [б.и.] (М.), № 2, с. 54-57.

14. Изучение профиля железа имплантированного в кремний. Кожемяко А.В., Балакшин Ю.В., Шемухин А.А., Черныш В.С. // Физика и техника полупроводников, изд-во Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 51, № 6, с. 778-782.

15. Комплементарные исследования внутренних пористых слоев кремния, образованных при высокодозной имплантации ионов гелия. Ломов А.А., Мяконьких А.В., Чесноков Ю.Н., Шемухин А.А., Орешко А.П. //Кристаллография, изд-во ФГУП Издательство «Наука» (Москва), том 62, № 2, с. 196-201.

16. Iron ions distribution profile obtained by irradiating the silicon single crystal. Shemukhin A.A., Kozhemiako A.V., Balakshin Yu V., Chernysh V.S. // Journal of Physics: Conference Series, изд-во Institute of Physics (United Kingdom), том 917, с. 1-5.

17. Spatial distribution of particles sputtered from single crystals by gas cluster ions. Nazarov A.V., Chernysh V.S., Nordlund K., Djurabekova F., Zhao J. // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, изд-во Elsevier BV (Netherlands), № 406, Part B, с. 518-522.

18. Study of the distribution profile of iron ions Implanted into silicon. Kozhemyako A.V., Balakshin Yu V., Shemukhin A.A., Chernysh V.S. // Semiconductors, изд-во Izdatel'stva Nauka (Russian Federation), том 51, № 6, с. 778-782.

19. The Parameter influence of ion irradiation on the distribution profile of the defect in silicon film. Shemukhin A.A., Balakshin Yu V., Evseev A.P., Chernysh V.S. // в Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, издательство Elsevier BV (Netherlands), том 406, № Part B, с. 507-510.

20. Изучение профиля железа имплантированного в кремний. Кожемяко А.В., Балакшин Ю.В., Шемухин А.А., Черныш В.С. // Физика и техника полупроводников, изд-во Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 51, № 6, с. 778-782.

21. Исследование распределения плотности заряда в малых кластерных ионах Ar+13 и Ar+19. Коробова Ю.Г., Иешкин А.Е., Черныш В.С. // Вестник Московского университета. Серия 3: Физика, астрономия, изд-во Изд-во Моск. ун-та (М.), № 5, с. 28-31.

22. Independent adsorption of monovalent cations and cationic polymers at PE/PG lipid membranes. Khomich Daria A., Nesterenko Alexey M., Kostritskii Andrei Yu, Kondinskaia Diana A., Ermakov Yuri A., Gurtovenko Andrey A. // Journal of Physics: Conference Series, изд-во Institute of Physics (United Kingdom), том 794, № 1, с. 012010.

23. Визуализация текстуры сверхгладких поверхностей с применением метода фликкер-шумовой спектроскопии. Каргин Н.И., Гусев А.С., Рындя С.М., Бакун А.Д., Иешкин А.Е., Акованцева А.А., Мисуркин П.И., Лакеев С.Г., Матющенко И., Тимашев С.Ф. // Научная визуализация, изд-во НИЯУ МИФИ (Москва), том 9, № 3, с. 28-41.

24. Features of angular dependence of secondary electron emission from metal single crystals. Minnebaev K.F., Khaidarov A.A., Ivanenko I.P., Minnebaev D.K., Yurasova V.E. // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, изд-во Elsevier BV (Netherlands)

2016

Статьи в журналах

1. Иешкин А.Е., Шемухин А.А., Ермаков Ю.А., Черныш В.С. (2016) Влияние состава пучка кластерных ионов на дефектообразование в мишени // Вестник Московского университета. Серия 3. Физика, астрономия, том 1, c. 72-76.

2. Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Васильев В.К., Гусейнов Д.В., Окулич Е.В., Шемухин А.А., Пирогов А.В., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Суродин С.И., Николичев Д.Е., Нежданов А.В. (2016) Послойный состав и структура кремния, подвергнутого совместной ионной имплантации галлия и азота для ионного синтеза GaN // Физика и техника полупроводников, изд-во Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.) том 50, № 2, с. 274-278.

3. The Influence of the Gas Cluster Ion Beam Composition on Defect Formation in Targets. Ieshkin A.E., Shemukhin A.A., Ermakov Yu A., Chernysh V.S. // MOSCOW UNIVERSITY PHYSICS BULLETIN, том 71, № 1, с. 87-90.

4. Зависимость угловых распределений атомов Mo, распылённых с помощью пучка газовых кластерных ионов Ar от энергии. Назаров А.В., Черныш В.С., Ермаков Ю.А., Шемухин А.А. // Успехи прикладной физики, том 4, № 6, с. 5-8.

5. Исследования процесса аморфизации имплантированных низкоэнергетичными ионами гелия приповерхностных слоев кремния. Ломов А.А., Мяконьких А.В., Орешко А.П., Шемухин А.А. // Кристаллография, том 61, № 2, с. 195-202.

2015

Статьи в журналах

1. A.E.Ieshkin, Yu.A. Ermakov, Chernysh V.S. Angular distributions of particles sputtered from multicomponent targets with gas cluster ions // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 2015. V. 354, P. 226-229.

2. A.A. Shemukhin, A.V. Nazarov, Yu. V. Balakshin, V.S. Chernysh. Defect formation and recrystallization in the silicon on sapphire films under Si⁺ irradiation // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 2015. V. 354, P. 274-276.

3. V.S. Chernysh, A.E. Ieshkin, Yu.A. Ermakov. The new mechanism of sputtering with cluster ion beams // Applied Surface Science, V. 326 (2015) P. 285-288.

4. Ieshkin A., Ermakov Y., Chernysh V., Ivanov I.E., Kryukov I.A., Alekseev K., Kargin N., Insepov Z. Computer simulation and visualization of supersonic jet for Gas cluster equipment //

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment, 2015, изд-во Elsevier BV (Netherlands), V.795, P. 395-398.

5. Ieshkin A.E., Ermakov Yu A., Chernysh V.S. Gas Cluster Ion Formation Under Pulsed Supply of Various Working Gases. // Technical Physics Letters, V. 41, № 11, P. 1072-1074.

6. Иешкин А.Е., Ермаков Ю.А., Черныш В.С. Формирование кластерных ионов различных газов в режиме импульсной подачи газа. // Письма в "Журнал технической физики", изд-во Наука. С.-Петерб. отд-ние (СПб.), том 41, № 22, с. 8-14.

7. Andrianova N.N., Borisov A.M., Mashkova E.S., Shemukhin A.A., Shulga V.I., Virgiliev Yu S. Relief evolution of HOPG under high-fluence 30 keV argon ion irradiation. // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, изд-во Elsevier BV (Netherlands), V. 354, P. 146-150.

8. Привезенцев В.В., Куликаускас В.С., Шемухин А.А., Трифонов А.Ю., Кириленко Е.П., Батраков А.А. Визуализация и идентификация наночастиц в Si, последовательно имплантированном ионами 64Zn+ И 16O+ // Известия РАН. Серия физическая, 2015, том 79, № 11, с. 1506-1513.

9. Ломов А.А., Мяконьких А.В., Орешко А.П., Шемухин А.А., Назаров А.В. Исследование Si (001) подложек, подвергнутых плазменно-иммерсионно ионной имплантации He+ методом рентгеновской рефлектометрии. // Современные методы анализа дифракционных данных и актуальные проблемы рентгеновской оптики, место издания Великий Новгород, 2015, с. 135-138.

2014

Статьи в журналах

1. А. А. Шемухин, А. В. Назаров, Ю. В. Балакшин, В. С. Черныш. Влияние параметров ионного облучения на образование дефектов в пленках кремния // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2014, № 3, с. 56-58.

2. Petukhov V.P., Kulikauskas V.S., Novikov L.S., Petrov D.V., Smirnova T.N., Chernik V.N., Shemukhin A.A., Shumov A.E. Nuclear-physical analysis of the contamination on the surface of a COMPLAST panel after 12-year exposure at the ISS // Surface Investigation X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques, издательство Gordon and Breach Science Publishers (Switzerland), 2014, том 8, № 3, с. 440-443.

3. Петухов В.П., Куликаускас В.С., Новиков Л.С., Петров Д.В., Смирнова Т.Н., Черник В.Н., Шемухин А.А., Шумов А.Е. ИССЛЕДОВАНИЕ ЯДЕРНО-ФИЗИЧЕСКИМИ МЕТОДАМИ ЗАГРЯЗНЕНИЙ ПОВЕРХНОСТИ ПАНЕЛИ «КОМПЛАСТ» ПОСЛЕ 12 ЛЕТНЕЙ ЭКПОЗИЦИИ НА МКС // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2014, № 5, с. 35-38.

4. Privezentsev V.V., Kulikauskas V.S., Zatekin V.V., Petrov D.V., Makunin A.V., Shemukhin A.A., Lutzau A.V., Putrik A.V. Study of silicon implanted with zinc and oxygen ions via Rutherford backscattering spectroscopy // Surface Investigation X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques, издательство Gordon and Breach Science Publishers (Switzerland), 2014, том 8, № 4, с. 794-800.

5. Привезенцев В.В., Куликаускас В.С., Затекин В.В., Петров Д.В., Макунин А.В., Шемухин А.А., Лютцау А.В., Путрик А.В. ИССЛЕДОВАНИЕ КРЕМНИЯ ИМПЛАНТИРОВАННОГО ИОНАМИ ЦИНКА И КИСЛОРОДА, МЕТОДОМ СПЕКТРОСКОПИИ РЕЗЕРФОРДОВСКОГО ОБРАТНОГО РАССЕЯНИЯ // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2014, № 8, с. 65.

6. Shemukhin A.A., Balakshin Y.V., Chernysh V.S., Golubkov S.A., Egorov N.N., Sidorov A.I. Defect formation and recrystallization mechanisms in silicon-on-sapphire films under ion irradiation // Semiconductors, издательство Izdatel'stva Nauka (Russian Federation), том 48, № 4, с. 517-520 (2014).

7. Shemukhin A.A., Nazarov A.V., Balakshin Y.V., Chernysh V.S. Influence of ion-irradiation parameters on defect formation in silicon films // Surface Investigation X-Ray, Synchrotron and Neutron Techniques, издательство Gordon and Breach Science Publishers (Switzerland), том 8, № 2, с. 251-253 (2014).

8. Shemukhin A.A., Muratova E.N. Investigation of transmission of 1.7-MeV He+ beams through porous alumina membranes // Technical Physics Letters, издательство Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 40, № 3, с. 219-221 (2014).

9. Privezentsev V.V., Shemukhin A.A., Petrov D.V., Trifonov A.Y., Saraykin V.V., Lutzau A.V. ZnO nanoparticle formation in Si by Co-implantation of Zn and O+ lons // Diffusion and Defect Data Pt.B: Solid State Phenomena, том 205, с. 502-508 (2014).

10. Медведева С.С., Коива Д.А., Шемухин А.А., Черных П.Н. Исследование изменения параметров тонкопленочных структур в процессе ионной имплантации // Вестник Балтийского федерального университета им. И. Канта, № 4, с. 7-13 (2014).

11. Шемухин А.А., Муратова Е.Н., Мошников В.А., Лучинин В.В., Черныш В.С. Исследование мембран пористого оксида алюминия с помошью методики резерфордовского обратного рассеивания // Вакуумная техника и технология, том 24, № 1, с. 43-47 (2014).

12. Шемухин А.А., Муратова Е.Н. Исследование прохождения пучков 1,7 МэВ He+ через мембраны пористого оксида алюминия // Письма в "Журнал экспериментальной и теоретической физики", том 40, № 5, с. 67-74 (2014).

13. Шемухин А.А., Балакшин Ю.В., Черныш В.С., Голубков С.А., Егоров Н.Н., Сидоров А.И. Механизмы дефектообразования и рекристаллизации в пленках кремния на сапфире при ионном облучении // Физика и техника полупроводников, том 48, № 4, с. 535-538 (2014).

2013

Статьи в журналах

1. Andreev A.A., Chernysh V.S., Ermakov Yu A., Ieshkin A.E. Design and investigation of gas cluster ion accelerator // Vacuum, 2013, V. 91, P. 47-53 (2013).

2. Muratova E.N., Spivak Yu M., Moshnikov V.A., Petrov D.V., Shemukhin A.A., Shimanova V.V. Influence of technological parameters of nanoporous Al2O3 Layers' preparation on their structural characteristics // Glass Physics and Chemistry, издательство Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 39, № 3, с. 320-328 (2013).

3. Shemukhin A.A., Chernykh P.N., Chernysh V.S., Balakshin Y.V., Nazarov A.V. Ion-beam methods of the accelerator complex HVEE-500 SINP MSU // Applied Physics, № 5, с. 59-62 (2013).

4. Shemukhin A.A., Balakshin Yu V., Chernykh P.N., Chernysh V.S. Medium energy ion scattering spectroscopy: Study of germanium amorphization under ion irradiation // Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, том 7, с. 318-321 (2013).

5. Соколова Е.Н., Спивак Ю.М., Мошников В.А., Петров Д.В., Шемухин А.А., Шиманова В.В. 2013 Влияние технологических параметров получения слоев нанопористого Al2O3 на их структурные характеристики // Физика и химия стекла, том 39 (2013), c.

6. Шемухин А.А., Черных П.Н., Черныш В.С., Балакшин Ю.В., Назаров А.В. Ионно-пучковые методики ускорительного комплекса HVEE-500 НИИЯФ МГУ // Прикладная физика, № 5, с. 59-62 (2013).

7. Лучинин В.В., Муратова Е.Н., Шемухин А.А. Матрицы из пористого оксида алюминия как капиллярные матрицы-шаблоны для локализации воздействия ионов высоких энергий // Нано и микросистемная техника, № 12, с. 39-41 (2013).

8. Шемухин А.А., Балакшин Ю.В., Черных П.Н., Черныш В.С. Спектроскопия рассеяния ионов средних энергий: изучение аморфизации германия под действием ионного облучения // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, № 4, с. 25-28 (2013).

2012

Статьи в журналах

1. Ieshkin A.E., Ermakov Yu.A.,, Andreev A.A., Chernysh V.S. Gas Cluster Ion Beam Accelerator: First Results // Book of Abstracts of 25th International Conference on Atomic Collisions in Solids (ICACS 25), 2012, Kyoto, Japan, P. 145.

2. Shemukhin A.A., Balakshin Yu V., Chernysh V.S., Patrakeev A.S., Golubkov S.A., Egorov N.N., Sidorov A.I., Malyukov B.A., Statsenko V.N., Chumak V.D. Fabrication of ultrafine silicon layers on sapphire // Technical Physics Letters, издательство Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 38, № 10, с. 907-909 (2012).

3. Шемухин А.А., Балакшин Ю.В., Черныш В.С., Патракеев А.С., Голубков С.А., Егоров Н.Н., Сидоров А.И., Малюков Б.А., Стаценко В.Н., Чумак В.Д. Формирование ультратонких слоев кремния на сапфире // Письма в журнал технической физики, том 38, № 19, с. 83-89 (2012).

2011

Статьи в журналах

Chernysh V.S., Patrakeev A.S. Angular distribution of atoms sputtered from alloys. // Nuclear Instruments and Methods in Physics ResearchB270, 2012, p.p. 50–54. см.
Андреев А.А., Ермаков Ю.А., Иешкин А.Е., Патракеев А.С., Черныш В.С. Ускоритель газовых кластерных ионов // Нанотехнологии. Разработка, применение. 2011, т.3, №2, c. 3-11.
Novikov N.V., Teplova Ya A., Chernysh V.S. Cross serction for the single-electron capture by fats He+ ions in inert gases // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 2011. V. 269, P. 834-836.

2010

Статьи в журналах

1. Черник В. Н., Акишин А. И., Пасхалов А. А., Патракеев А. С., Бондаренко Г. Г., Гайдар А. И.. Рентгеновский микроанализ поверхности поливинилтриметилсилана после воздействия ускоренного потока кислородной плазмы // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2010, № 4, с. 59-63.

1a. Chernik V. N., Akishin A. I., Paskhalov A. A., Patrakeev A. S., Bondarenko G. G. , Gaidar A. I. X_Ray Microanalysis of Polyvinyltrimethylsilane Surface after Impact of Accelerated Oxygen Plasma Flow // Journal of Surface Investigation. X_ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 2010, No. 4, pp. 322-326. pdf

2. Александров В. А., Диденко П.И., Куликаускас В. С., Сабиров А. С., Филиппов Г.М., Черныш В. С.. Движение ионов в системе частично упорядоченных нанотрубок // Известия РАН, серия физическая, 2010, т.74, с. 1697-1700.